Исследователи из Московского физико-технического института вместе с коллегами из ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН и Международной ассоциированной лаборатории LIA LICS разработали технологию нового типа оперативной памяти — «магнитную оперативку».

Об этом сообщает пресс-служба МФТИ.

Один из главных элементов любого компьютера или смартфона — оперативная память (RAM). Индустрия RAM сегодня очень сильно развита, но у большинства устройств есть существенный недостаток, который из-за специфики конструкции не удастся преодолеть, — низкая энергоэффективность.

«Мы в своей работе демонстрируем магнито-электрическую ячейку памяти. Она позволит снизить затраты энергии на запись и чтение в десятки тысяч раз», — говорит Сергей Никитов, руководитель исследования.

Ячейка магнито-электрической памяти (MELRAM) состоит из двух элементов. Первый — это пьезоэлектрическая подложка. Пьезоэлектрики деформируются, если к ним приложить напряжение, и наоборот — создают напряжение, если их деформировать.

Второй элемент — слоистая структура, которая обладает сильной магнитоупругостью. Ячейки памяти MELRAM способны сохранять своесостояние, в отличие от ячеек динамической RAM, значения в которой надо постоянно обновлять и которые теряются при отключении от сети.

Команда продемонстрировала работу новой технологии на образце размером около миллиметра.

По словам исследователя Антона Чурбанова, на основе использованных структур можно создавать и нанометровые ячейки, сходные по размерам с теми, что используются в обычной RAM.

По мнению авторов работы, при переходе к маленьким размерам работоспособность предложенного ими решения никак не ухудшится, а значит, можно утверждать, что у MELRAM хорошие перспективы в области вычислительной техники с жесткими требованиями к энергопотреблению. Исследователи опубликовали результаты работы в статье журнала Applied Physics Letters.

Читайте также: